三星回应英伟达HBM芯片测试传闻，确认测试按计划进行
8月13日消息，三星电子对近日关于其高带宽存储芯片（HBM）与英伟达合作测试的媒体报道做出了回应。三星发言人表示，测试正在按照计划进行，公司与各客户之间的合作也在紧密推进。
据悉，上周有报道称英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。然而，三星电子随即对这一消息做出反驳。公司在一份声明中强调：“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道并不准确。”这表明三星对相关的媒体报道持有不同的观点，并否认了有关英伟达芯片测试的细节。
三星电子表示，他们正在通过与各客户的紧密合作来优化其产品，并确保所有测试工作按计划进行。公司发言人指出，三星正在致力于通过高效的测试流程和客户反馈，确保其高带宽存储芯片能够满足市场需求和技术标准。
HBM芯片是高性能计算（HPC）和人工智能（AI）应用中关键的组件之一，它们能够提供极高的数据传输速率和带宽。三星的HBM3E芯片被认为是当前技术的前沿，旨在支持下一代计算平台的需求。
此次回应突显了三星对客户关系的重视，同时也反映出在半导体行业中，技术测试和客户验证过程的高度保密性。尽管市场对三星与英伟达的合作充满关注，但三星的声明明确表示，相关的正式合作和产品测试信息仍需等待公司和客户的进一步确认。
